Лабораторная работа № 2-4Б

Предыдущая | Оглавление | Следующая | Страница:[1] [2] [3] [4] [5]

5.Построить график si_4B_11

. По графику найти si_4B_12

, (где

).
6.По формуле (4Б-11) найти энергию активации E_g (в Дж и эВ) (1 эВ=1.6 10^-19 Дж).
7.Сделать оценку погрешности вычисленной энергии активации по величине разброса точек около линии на графике (как на рис.16). Записать окончательный результат в виде:

Примерные графики зависимости сопротивления полупроводника от
температуры (а) и lgR - от обратной температуры 1/T (б)

3. Контрольные вопросы

1.Как образуются энергетические зоны в твердых телах, как они характеризуются?
2.Каковы характеристики полупроводника, проводника и изолятора с точки зрения зонной теории?
3.Что понимать под термином "дырка" в зонной теории?
4.Что такое собственная и примесная проводимости полупроводников?
5.Начертите примерный график зависимости удельной проводимости химически чистого полупроводника от температуры.
6.Что такое энергия Ферми, уровень Ферми, функция Ферми?
7.Почему с ростом температуры сопротивление проводников растет, а сопротивление полупроводников падает?
8.Что такое энергия активации и как она рассчитывается?

4. Литература

Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела. -М.: Мир, 1979, т. 1, 2.
Трофимова Т.И. Курс физики. -М.: Высшая школа, 1999.
Савельев И.В. Курс физики, т.2, -М.: Наука. 1998, § 42, 43.
Кортнев А.В., Рублев Ю.В., Куценко А.Н. Практикум по физике. -М: Высшая школа, 1963. стр. 285.

Предыдущая | Оглавление | Следующая | Страница:[1] [2] [3] [4] [5]

главная :: наверх :: добавить в избранное :: сделать стартовой :: рекомендовать другу :: карта сайта :: создано: 12.12.2007

Наша кнопка: