Вы здесь: Главная -> Новости -> 2006 -> -> В IBM научились управлять атомными спинами
Новости науки
2016:
78
2015:
12345678910
2014:
123456789101112
2013:
123456789101112
2012:
123456789101112
2011:
123456789101112
2010:
123456789101112
2009:
123456789101112
2008:
123456789101112
2007:
123456789101112
2006:
123456789101112
Рейтинг@Mail.ru

В IBM научились управлять атомными спинами


Инженеры IBM изобрели способ манипулировать магнитными свойствами отдельных атомов, сообщается в пресс-релизе компании. Изобретение, по их словам, может привести к созданию в ближайшем будущем сверхъемких модулей памяти микропроцессоров с совершенно другой архитектурой, чем у современных кремниевых.

Ученые усовершенствовали туннельный микроскоп, традиционно применяемый при сборке нанообъектов. Новая методика, известная как "спин-возбужденная спектроскопия", позволила увидеть, как группы атомов реагируют на изменение своей конфигурации или количества. На тонкую поверхность изолятора, находящуюся в сильном магнитном поле, они последовательно наносили атомы марганца и следили за тем, как изменяется спин (то есть квантовый магнитный момент) системы.

В 2004 году та же группа ученых придумала основу нынешней методики - спектроскопию "переключения спинов" (spin-flip). Тогда впервые появилась возможность исследовать атомы в качестве "элементарных магнитов", однако изменять их конфигурацию в ходе эксперимента не удавалось - внешнее воздействие было слишком сильным и "разрушало" заданное квантовое состояние.

Авторов изобретения интересует возможность целенаправленно "переключать" магнитный момент как можно меньшей группы атомов."Перемагничивание" является основой работы большинства запоминающих устройств, разработку которых ведет IBM. Кроме того, совсем недавно был создан прототип "магнитного процессора", который устроен по принципу "клеточного автомата".

Источник: Лента.Ру



главная :: наверх :: добавить в избранное :: сделать стартовой :: рекомендовать другу :: карта сайта :: создано: 2006-03-31T00:00:00+00
Наша кнопка:
Научно-образовательный портал