Вы здесь: Главная -> Новости -> 2006 -> Август -> Учёные повысили быстродействие биполярных транзисторов
Новости науки
2016:
78
2015:
12345678910
2014:
123456789101112
2013:
123456789101112
2012:
123456789101112
2011:
123456789101112
2010:
123456789101112
2009:
123456789101112
2008:
123456789101112
2007:
123456789101112
2006:
123456789101112
Рейтинг@Mail.ru

Учёные повысили быстродействие биполярных транзисторов


18 августа 2006 года, 17:36 Текст: Владимир Парамонов

Британские исследователи из Школы электроники и компьютерных наук при Саутгемптонском университете в Великобритании предложили новую технологию, которая теоретически позволит поднять быстродействие биполярных транзисторов вдвое по сравнению с существующими решениями.

Методика, разработанная под руководством профессора Питера Эшберна, сводится к модификации стандартного процесса изготовления биполярных транзисторов путём добавления примеси фтора. Примесь фтора используется для того, чтобы ограничить диффузию бора в базе транзистора. Это, в свою очередь, приводит к уменьшению толщины базы, что позволяет повысить скорость движения электронов.

По заявлениям исследователей, в ходе экспериментов им удалось добиться частоты в 110 ГГц, что в два раза выше предыдущего рекорда для биполярных транзисторов. Учёные подчёркивают, что при некоторых усовершенствованиях технологии диффузия бора в базе может быть уменьшена ещё на 50 процентов.

Биполярные транзисторы широко используются в электронных схемах мобильных телефонов и оборудования для беспроводных сетей. Практическое применение предложенной методики позволит создавать существенно более быстродействующие устройства при незначительном повышении затрат на производство, отмечает Physorg. Впрочем, о возможных сроках внедрения технологии исследователи пока умалчивают.

Источник: ИД "Компьютерра"







главная :: наверх :: добавить в избранное :: сделать стартовой :: рекомендовать другу :: карта сайта :: создано: 18.08.2006
Настенный светильник lussole.
Наша кнопка:
Научно-образовательный портал