Вы здесь: Главная -> Новости -> 2007 -> -> Toshiba сделала первый шаг к созданию сверхъемких флэшек
Новости науки
2016:
78
2015:
12345678910
2014:
123456789101112
2013:
123456789101112
2012:
123456789101112
2011:
123456789101112
2010:
123456789101112
2009:
123456789101112
2008:
123456789101112
2007:
123456789101112
2006:
123456789101112
Рейтинг@Mail.ru

Toshiba сделала первый шаг к созданию сверхъемких флэшек


Компания Toshiba разработала технологию, позволяющую в будущем создавать флэш-память с топологическим размером элемента в 10 нанометров, сообщается в пресс-релизе корпорации. Это в несколько раз меньше нынешних элементов.

Новая структура состоит из двух оксидных пленок толщиной в 1 нанометр и нанокристаллов кремния размером в 1,2 нанометра между ними. Она позволяет эффективно удерживать и выпускать электроны.

Технология "двойного туннелирования" (double tunneling) позволит в течение четырех лет создавать микросхемы, на которых умещается до 100 гигабит (12,5 гигабайт) данных, отмечает Tech.co.uk.

В настоящее время такие популярные устройства как плееры Apple iPod используют 16-гигабитные микросхемы памяти. В октябре компания Hynix заявила о том, что сумела разработать 64-гигабитный чип по 30-нанометровой технологии.

Toshiba является вторым в мире поставщиков микросхем флэш-памяти, уступая только Samsung.

Источник: Лента.ру



главная :: наверх :: добавить в избранное :: сделать стартовой :: рекомендовать другу :: карта сайта :: создано: 2007-12-14T00:00:00+00
Наша кнопка:
Научно-образовательный портал