Новости
2008
декабрь
Intel разработала дешевый фотодиод на основе кремния
Компания Intel разработала дешевый лавинный фотодиод (APD) для передачи информации по технологии кремниевой фотоники, сообщает Cnet News со ссылкой на публикацию в научном журнале Nature Photonics.
Как правило, в кремниевой фотонике используются достаточно редкие и дорогие материалы. Например, фосфид индия и арсенид галлия. Представители Intel сумели создать APD на основе дешевого кремния и германия.
Кроме того, фотоприемник на основе нового APD Intel оказался мощнее аналогов. Это позволит, в частности, увеличить расстояние, на которое может быть передана информация с его помощью.
В настоящее время опытный образец лавинного фотодиода Intel позволяет принимать информацию на скорости до 40 гигабит в секунду, что в два-три раза выше скорости работы аналогичных устройств. Максимальная скорость приема данных, которую смогли достигнуть инженеры Intel, экспериментируя с новым APD, составила 200 гигабит в секунду.
В разработке лавинного фотодиода на основе кремния, помимо Intel, принимали участие компания Numonyx, управление перспективного планирования оборонных научно-исследовательских работ США, а также Университеты штатов Виргиния и Калифорния.
Ожидается, что развитие кремниевой фотоники позволит заменить металлические соединения чипов на световые. Это в несколько раз увеличит скорость передачи информации. Одной из перспективных областей для использования кремниевой фотоники являются суперкомпьютеры.
Источник: Лента.Ру
