Вы здесь: Главная -> Новости -> -> -> Транзисторы побили рекорд миниатюрности
Новости науки
2016:
78
2015:
12345678910
2014:
123456789101112
2013:
123456789101112
2012:
123456789101112
2011:
123456789101112
2010:
123456789101112
2009:
123456789101112
2008:
123456789101112
2007:
123456789101112
2006:
123456789101112
Рейтинг@Mail.ru

Транзисторы побили рекорд миниатюрности


Инженеры Массачусетского технологического института создали рекордно миниатюрный МОП-транзистор на основе арсенида галлия-индия, размер которого составил 22 нанометра. Доклад о своей работе ученые представили на конференции в Сан-Франциско, кратко о ней пишет сайт института.

Рекорд миниатюризации удалось установить благодаря применению материала, который до этого не использовался при изготовлении подобных транзисторов. Арсенид галлия-индия широко известен в электронике, но применяется в основном для изготовления лазеров, СВЧ-генераторов, фотодатчиков и светодиодов.

В то же время, методы обработки, которые авторы применили для изготовления миниатюрного транзистора - эпитаксия и травление электронным лучом, были заимствованы из существующего арсенала кремниевой индустрии. Исток и сток изготавливались из молибдена, а выравнивание их контакта с затвором осуществлялось с помощью множественного распыления и травления.

Новый транзистор принадлежит к функциональному типу, наиболее распространенному при изготовлении микропроцессоров. Авторы разработки надеются, что в будущем им удастся изготовить на основе арсенида галлия-индия полноценный микрочип с рекордной плотностью транзисторов.

Ранее другая группа инженеров (также из MIT) применила для создания набора электронных устройств другой необычный материал - двумерный сульфид молибдена, который иногда называют самым известным конкурентом графена.

Источник: Лента.ру



главная :: наверх :: добавить в избранное :: сделать стартовой :: рекомендовать другу :: карта сайта :: создано: 2012-12-10T00:00:00+00
Наша кнопка:
Научно-образовательный портал